英飞凌infineon宣布300毫米晶圆可扩展GaN制造取得进展

2931520068 · 发表于昨天 21:51

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英飞凌infineon作为领先的集成器件制造商（IDM）在300毫米GaN制造路线图上取得进展
随着对氮化镓（GaN）半导体的需求持续增长，英飞凌infineon准备利用这一趋势，巩固其作为GaN市场领先的集成器件制造商（IDM）的地位。公司宣布，其在300毫米晶圆上的可扩展GaN制造正在按计划进行。截至2025年第四季度，英飞凌将向客户提供首批样品，这为扩大客户群和巩固其作为领先的GaN巨头的地位做好了充分准备。
英飞凌宣布300毫米晶圆可扩展GaN制造取得进展
作为电力系统的领导者，英飞凌infineon正在掌握所有三种相关材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓。GaN半导体具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，可以实现更小的设计，减少智能手机充电器、工业和人形机器人或太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。
英飞凌infineonGaN业务线负责人JohannesSchoiswohl表示：我们全面扩大的300毫米GaN制造将使我们能够更快地为客户提供最高价值，同时实现可比硅和GaN产品的成本平价，英飞凌宣布在300毫米GaN晶圆技术方面取得突破近一年后，我们很高兴我们的过渡过程进展顺利，业界已经认识到英飞凌的GaN技术的重要性，这得益于我们IDM战略的优势。
英飞凌infineon的制造战略主要依赖于IDM模式——拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产过程。该公司的内部制造战略是市场上的关键差异化因素，提供了高质量、更快的上市时间以及卓越的设计和开发灵活性等优势。英飞凌致力于支持其GaN客户，并可以扩大产能以满足他们对可靠GaN电源解决方案的需求。
凭借其技术领先地位，英飞凌infineon已成为第一家在其现有的大批量制造基础设施内成功开发300毫米GaN功率晶片技术的半导体制造商。与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率也更高，因为更大的晶圆直径允许每个晶圆生产2.3倍的芯片。
随着GaN功率半导体在工业、汽车、消费品以及计算和通信应用中的快速应用，如人工智能系统的电源、太阳能逆变器、充电器和适配器或电机控制系统，需要这些增强的能力，再加上英飞凌庞大的GaN专家团队和业界最广泛的知识产权组合。
市场分析师预计，到2030年，用于电力应用的GaN收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元[1]。英飞凌专注的制造能力和强大的产品组合，在过去一年中宣布了40多种新的GaN产品，使该公司成为寻求高质量GaN解决方案的客户的首选合作伙伴。

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